三是提升实验室分析要求。在实验室测定环节新增了空白试验要求,对方法检出限和定量限的确定原则、精密度、校正曲线绘制、准确度评价以及平行样分析等核心质控指标的评价内容和要求进行了系统性的变更与细化。
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在传统存储产品方面,10nm以下DRAM制造工艺正成为主流,并逐步向7nm工艺突破,通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后,“垂直堆叠”难度加剧,厂商转向“水平扩展+架构优化”,比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构,同时引入“HKC(高K介质+金属栅)”技术,解决高层数堆叠的漏电、散热问题,制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。